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BFP 640ESD H6327 /射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
BFP 640ESD H6327的规格信息
BFP 640ESD H6327的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:是

系列:BFP640

晶体管类型:Bipolar

技术:SiGe

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:110

集电极—发射极最大电压 VCEO:4.1 V

集电极连续电流:50 mA

配置:Single

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-343

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

工作频率:45 GHz

类型:RF Silicon Germanium

商标:Infineon Technologies

Pd-功率耗散:200 mW

产品类型:RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

零件号别名:BFP640ESDH6327XTSA1 BFP64ESDH6327XT SP000785482

单位重量:7 mg

供应商BFP 640ESD H6327
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